产品简介
技术参数品牌：TD型号：TD1509P5批号：19封装：SOP数量：10000QQ：对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）制造商标准提前期：12周系列：HEXFET®包装：剪切带（CT）
详情介绍
技术参数
| 品牌： | TD |
| 型号： | TD1509P5 |
| 批号： | 19 |
| 封装： | SOP |
| 数量： | 10000 |
| QQ： | |
| 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 湿气敏感性等级（MSL）： | 1（无限） |
| 制造商标准提前期： | 12 周 |
| 系列： | HEXFET® |
| 包装： | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| 零件状态： | 在售 |
| FET类型： | N沟道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源极电压（Vdss）： | 55V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）： | 17A（Tc） |
| 驱动电压（RdsOn，最小RdsOn）： | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（值）： | 4V@250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 20nC@10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）： | 370pF@25V |
| 栅源电压 Vgss： | ±20V |
| FET功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 45W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）： | 75毫欧@10A，10V |
| 工作温度： | -55°C~175°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装(SMT) |
| 供应商器件封装： | D-Pak |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 |
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