单晶炉冷却系统:其特征在于，该系统包括抽气装置、排气管和冷却管;所述抽气装置的一端连接排气管，所述排气管连接单晶炉体，所述抽气装置的另一端连接冷却管，所述冷却管连接单晶炉体;抽气装置用于通过排气管将单晶炉体内的高温气体抽出，并从冷却管流入单晶炉体内，对单晶炉体外的高温气体进行冷却。

半导体工艺设备为大规模半导体制造提供了制造基础。描绘电子产业未来的摩尔定律，必将导致未来半导体器件的集成化和小型化程度更高，功能更强。

单晶炉是一种全自动直拉单晶生长炉，是利用石墨加热器在惰性气体(氮气、氦气)环境中熔化多晶硅等多晶材料，采用直拉法生长无位错单晶的设备。

单晶硅炉的模型有两种命名方法，一种是进料量，另一种是炉膛直径。如120、150等型号由进料量决定，85炉指的是主炉筒直径。

单晶硅炉的主体由主机、加热电源和计算机控制系统组成。

单晶硅片的工艺流程

硅，地球上有很多含硅的东西。似乎90%以上都是晶硅，也就是单晶硅。太阳能级硅的纯度在6N以上。

首先是石头(所有的石头都含有硅)。将石头加热至液态，再加热至气态。让气体通过一个密封的大盒子。盒子里有N个以上的子晶体用于加热，两端用石墨夹紧。当气体穿过盒子时，子晶体会将其中一种气体吸收到子晶体上，子晶体就会逐渐变厚。因为气体变成固体，很慢，大约一个月左右，盒子里有很多长初级多晶硅。

单晶硅芯片由此进入生产过程:

1. 酸洗:用稀硝酸HNO3进行清洗，去除精炼过程中产生的表面杂质和四氯化硅。

2. 清洗:清洗酸洗后硅材料的残留杂质。

单晶炉冷却系统温度范围:1400℃。根据对晶体炉数据的查询，晶体炉冷却系统的温度范围为1400℃。单晶炉炉体材料一般为不锈钢