英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2
2025年12月07日 08:16:25
来源：北京健科芯坤科技有限公司 >> 进入该公司展台
阅读量：1
英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的 CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。
CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。这为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等功率半导体应用领域的客户带来了巨大优势。与前几代产品相比，采用CoolSiC™ G2 的电动汽车直流快速充电站*高可减少10%的功率损耗，并且在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率。基于CoolSiC™ G2器件的牵引逆变器可进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用 CoolSiC™ G2的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低每瓦成本。
英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 博士表示：“目前的大趋势是采用高效的新方式来产生、传输和消耗能量。英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率更高的系统，在实现节能的同时减少现场的每瓦二氧化碳排放。这充分体现了英飞凌坚持不懈持续推动工业、消费、汽车领域的低碳化和数字化的**。”
英飞凌开创性的CoolSiC™ MOSFET沟槽栅技术推动了高性能CoolSiC™ G2解决方案的发展，实现了更加优化的设计选择，与目前的SiC MOSFET技术相比，具有更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣的.XT封装技术，英飞凌以更高的导热性、更优的封装控制以及更出色的性能，进一步提升了基于 CoolSiC™ G2 的设计潜力。
英飞凌掌握了硅、碳化硅和氮化镓（GaN）领域的所有的关键功率技术，可提供灵活的设计和**的应用知识，满足现代设计的期待和需求。在推动低碳化的过程中，基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带（WBG）材料的**半导体已成为能源高效利用的关键。
版权与免责声明：
1.凡本网注明"来源：中非贸易网"的所有作品，版权均属于中非贸易网，转载请必须注明中非贸易网。违反者本网将追究相关法律责任。
2.企业发布的公司新闻、技术文章、资料下载等内容，如涉及侵权、违规遭投诉的，一律由发布企业自行承担责任，本网有权删除内容并追溯责任。
3.本网转载并注明自其它来源的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品来源，并自负版权等法律责任。
4.如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系。
