晶振，作为现代电子设备中的时钟源，其性能直接关系到整个系统的稳定性和可靠性。在晶振电路设计中，近端和远端的相位噪声（Phase Noise）是评估晶振性能的重要指标。相位噪声反映了信号频率稳定性的质量，即信号中频率成分的随机波动。

一、近端相位噪声

近端相位噪声通常指距离载波频率较近的频率范围内的噪声水平。这一区域的噪声主要由晶体本身的参数决定，包括晶体的谐振频率、品质因数（Q值）、等效串联电阻（ESR）等。

1、谐振频率

晶体的谐振频率决定了其工作的基本频率，是晶振性能的基础。

2、品质因数（Q值）

晶体的Q值越高，其频率稳定性越好，近端相位噪声通常越低。高Q值的晶体谐振电阻较小，因此起振速度更快，有助于降低近端相噪。

3、等效串联电阻（ESR）

ESR反映了晶体在振荡过程中的能量损耗。较小的ESR有助于减少能量损失，提高振荡信号的稳定性和强度，从而降低近端相噪。

此外，晶体的制造工艺和材料也会对近端相位噪声产生影响。优质的制造工艺和材料能够减少晶体内部的缺陷和杂质，从而降低噪声水平。

二、远端相位噪声

远端相位噪声则指距离载波频率较远的频率范围内的噪声水平。这一区域的噪声更多地依赖于晶体匹配的振荡IC（集成电路）的特性。

1、振荡IC的设计

振荡IC的设计，包括放大器的噪声水平、电源噪声抑制能力、电路布局等，都会对远端相位噪声产生影响。良好的振荡IC设计可以有效地降低远端相位噪声。

2、电源噪声

电源噪声是远端相噪的重要来源之一。通过增加电源去耦电容、优化电源管理等方式，可以有效地减少电源噪声对远端相噪的影响。

3、电路布局

合理的电路布局可以减少信号干扰和延迟，确保晶振信号的完整性，从而降低远端相噪。

三、电性能参数对近端/远端相噪的综合影响

在晶振电路设计中，起振时间、负载电容等电性能参数也对近端和远端相位噪声有重要影响。

起振时间

起振时间的长短主要由晶体的谐振电阻和振荡器的负性阻抗共同决定。高Q值的晶体谐振电阻较小，起振速度更快。

负载电容（CL）

负载电容的大小不仅影响振荡器的负性阻抗，还会对近端和远端相噪带来不同的影响。较小的负载电容使负性阻抗变大，起振速度更快，牵引量更大，但同时也更容易受到杂散电容的影响。这对近端相噪有利，但可能增加远端相噪。较大的负载电容则相反，有助于提升远端相噪的稳定性，但可能对近端相噪不利。