晶振的激励功率：指的是已经内设的晶振耗损功率数值。

英文：Drive Level

输入激励功率的大小直接影响着晶振本身的性能，所以电路设计者一定要严格按照要求，在晶振规定的激励功率内，输入其所需功率，以便充分保障晶振的正常工作。

激励功率一般以微瓦（Micro Watt）为单位。近年来，随着晶振生产工艺与技术的快速提升，以及电子产品对晶振在小型化与低功耗方面的更高要求，具备较高激励功率的晶振在一些小型电子产品应用领域开始逐渐趋于边缘化。

电路提供的激励功率过大可能会导致晶振以下不良隐患：

1、石英晶片振幅变大，因此过多的热量产生导致石英晶片振动区域的温度升高。石英晶片本身则产生梯度性温度攀升，直接破坏频率稳定度。

2、由于晶片机械性变形程度可能会超出弹性极限，造成晶格不可恢复性的位移，造成晶振输出频率性频偏。更严重的情况下，石英晶片振碎，导致晶振不起振（停振），也就是我们所说的“晶振死了”。

3、造成等效电阻变大(注：一般晶振电阻值为10~100Ω)，影响晶振起振，严重情况下造成晶振停振。

4、导致固着晶片与基座的导电胶受损，比如断裂，后果是造成晶振内部电路断路、晶振停振。

5、导致Q值下降，电阻温度特性和频率温度特性变得不规则，导致不良后果是晶振频率不稳定。

6、导致寄生发生变化，导致晶振跳频，无法提供标配频率。

7、加快晶振在性能方面老化性衰减，导致晶振精确度不稳定。

（晶诺威科技产无源贴片晶振SMD2016电气参数）

提供的激励功率过小可能给晶振带来的不良隐患：

1、晶振不易起振或停振，失去提供频率信号的功能。

2、影响晶振工作的稳定性，无法保证输出稳定的精准频率信号，造成IC捕捉信号失效。

因此，在晶振的使用中,一定要注意以下两点：

1、根据应用领域的不同，请选择合适激励功率的晶振；

2、切不可只为了改变晶振的输出频率，任意改变电路输入给晶振的激励功率的大小。

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