晶诺威科技针对晶振不起振的原因作了如下归纳总结：

1、芯片不良或与晶振不兼容

建议更换芯片，联系芯片方案供应商获取所需晶振各项电气参数。

2、晶振选型错误

晶振的重要参数有：频率精度、负载电容、电阻、工作温度等。假如芯片需要负载为12PF的26MHZ晶振，如果选用20PF的晶振，可能会导致晶振不良现象。

建议更换符合要求的晶振。

3、晶振精度超差

请依据电路要求选择晶振频率精度。

4、外接电容与晶振负载电容不匹配

当晶振输出频率偏正时，可以增加晶振外接电容值，反之亦然。

5、晶振电阻超差

晶振电阻过大，容易造成晶振不起振。请根据电路需求选择电阻值较小的晶振。

6、负性阻抗值太小

晶振在工作中发生逐渐停振不良现象，具体表现为用手触摸或者用电烙铁加热晶振引脚又开始工作。分析原因可能是因为振荡电路中的负性阻抗值太小，建议尝试调整晶振外接电容值来满足振荡电路的回路增益。

7、激励功率过小

建议增加电路负性阻抗，或者选择负载电容较小的晶振。

8、晶振发烫

排除工作环境温度对晶振的影响，最可能出现的情况是激励功率过大。建议将激励功率降低，可增加限流电阻来调节激励功率的大小。

9、晶振DLD2超差

在生产过程中，要求将晶振内部抽真空后充氮气，如果出现压封不良，会导致晶振气密性不良而漏气（晶诺威科技会在出货前通过全检淘汰该类不良产品）。

晶振的制程要求在万级无尘车间完成。如果空气中的水蒸气小液滴或细微尘埃颗粒附着在石英晶片电极，会导致DLD2超差，造成晶振不起振。

晶诺威科技生产严格执行全程在超净化高标准环境下进行并完成，并已分别通过ISO9001、ISO14001、TS16949等相关体系认证，所生产的晶振产品品质严格符合IEC和ANSI标准。

10、晶片破损

在SMT产线晶振转运或者使用过程中跌落、撞击等因素都有可能造成晶振内部石英晶片损坏，从而导致晶振不起振。因此一旦发生该类事情，请禁止使用。

11、晶振漏气

晶振在焊接前，因剪脚等物理性破坏造成漏气造成晶振停振。

在针对直插晶振剪脚等加工作业时，一定要严格遵循规范操作流程，避免操作不当而意外损坏晶振。

12、焊接不规范

因焊接温度过高或时间过长造了对晶振的破坏，引发晶振不振。

焊接制程过程中一定要规范操作，对焊接时间和温度的设定要符合晶振的组装要求。

焊接部位仅局限于导脚到玻璃纤部位1.0mm以上的部位，并且请不要对外壳进行焊接。另外，假如利用高温或长时间对导脚部位进行加热，会导致晶振内部晶片镀银层破坏，电阻超差等问题。因此，请留意对导脚部位的加热温度要控制在300°C以下，且加热时间要控制在5秒以内(外壳的部位的加热温度要掌握在150°C以下)。另外，焊接中，严禁用力拉扯晶振导脚，以防破坏晶振基座的玻璃纤部位，造成内部晶片受损。

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