晶振SPDB

寄生dB值（SPDB）：在用12.5Ω测试头测出的最小寄生电阻波峰相对主振波峰之间的差值，单位用dB表示。

晶振SPDB正常范围：<-3 该数值的值越小越好，晶诺威科技生产的晶振该值测试参数设置为 <-9999

寄生电阻（SPUR）：在指定的频率范围内寄生电阻最小的电阻，单位用Ω表示。

关于晶振的主要电气参数，晶诺威科技归纳如下：

1、 振动模式：指基频或泛音晶体，若是泛音晶体只有奇次泛音，没有偶次，如3、5、7等。

2、 切型：指晶片的切割方式。相对于SMD晶振结晶轴的取向。如果没有特殊标明一般指AT切型，AT切型具有频率范围宽，压电活力高，在宽温度范围内频率湿度特性好，晶片加工方便等优点，而被广泛使用。

3、标称频率（F）：标称频率又叫做标称值。用以标志或识别元件、器件的适当近似值，如：12.000MHz

4、寄生：在主振频率一定频率范围内振动杂波。常用的几个衡量指标：SPFR、SPUR、SPDB。

5、寄生频率（SPFR）：在指定的频率范围内寄生电阻最小的频率。单位用PPM表示。

6、谐振电阻（RR）：无源晶振工作在谐振频率时的电阻，单位用Ω表示。

7、负载频率（FL）：在给定的负载电容条件下，测出的对应频率。一般是相对标称频率而言，单位用PPM表示。同一支产品在不同外接负载电容条件下，工作频率不同，有时相差很大，因此若外接电容与晶振负载电容不匹配，将导致晶振工作频率超出要求范围而不能正常工作。

8、DLD：英文为Drive Level Dependency。在给定的激励功率范围内，测出的电阻或频率的变化值。主要用来衡量贴片晶振材料和制造工艺的稳定性。常用的几个参数指标：DLD2、RLD、FDLD。

FDLD：在给定的激励功率范围内，测出的串联谐振频率与最小串联谐振频率之间的差值。即：FDLD=MaxFr-MinFr，单位用PPM表示。

DLD2：在给定的激励功率范围内，测出的谐振电阻与最小谐振电阻之间的差值。即:DLD2=MaxR-MinR，单位用Ω表示。一般应小于晶振电阻的三分之一。

RLD：在给定的激励功率范围内，测出的电阻值。即:RLD2=MaxR，单位用Ω表示。

9、接地电容：是用户电路板设计时外加的有效外接电容，单位用PF表示。考虑到线路板杂散电容，在理论计算出的电容值基础上需加3~5PF。然后根据与晶振负载电容之间的匹配公式计算出外接电容值的大小。

10、温度特性：在指定温度范围内频率或电阻变化达到要求范围。频率变化是相对值，是该晶振随温度的变化相对于常温条件下的变化值，用PPM表示。电阻是值，用Ω表示。

11、频率公差：指在常温（25℃±2℃）条件下相对标称频率允许的晶振频率散差范围，单位用PPM表示。

12、品质因数Q值：Q值反映晶振性能好坏，单位有K表示。等效电阻大时Q值就低，功率消耗也大，而且还会导致频率不稳定，故Q值越大，晶振频率越稳定。

13、灵敏度（TS）：又叫牵引值，表示晶振频率随负载电容变化的变化值，单位用PPM/PF表示，负载电容越小，Ts越大，晶振频率受外界杂散电容影响变化越大。

14、激励功率（DL）：指施加给晶振工作时提供的驱动功率，单位用μW表示。功率不宜太小，否则不易起振，但也不能太大，易激起其它杂波甚至产生不可逆频率变化，一般在10~100μW范围内差别不大。

举例：我司26MHz 12PF ±10PPM 贴片晶振SMD3225电气参数测试数据如下：

测试设备：250B