（晶诺威科技无源贴片晶振SMD3225 27MHz产品图例）

在晶振的实际应用中，主要参数有标称频率、调整频差、等效电阻、负载电容（CL）、外接电容、工作温度、C0值、C1值等。

晶振C0值指的是晶振的静态电容，即晶振两引脚之间的电容，是以水晶为介质，由两个金属电极形成的电容，与石英晶片电极面积（或者晶体体积）大小和频率大小成正比。因此，换句换说，晶振C0值的大小主要取决于电极面积、石英晶片厚度和石英晶片加工工艺（含夹具类型）。

晶振C1值指等效电路中动态臂里的电容，即动态电容。动态电容C1值的大小主要取决于电极面积，另外还和石英晶片平行度、微调量的大小有关。简而言之，动态电容 C1表征振动能力，与石英晶片电极面积（或者晶体体积）和频率大小成正比。

（晶诺威科技无源贴片晶振SMD3225 27MHz产品尺寸及内部电路）

晶振其它电气参数

• CL：代表晶振的负载电容。

• RR：代表等效阻抗，指无源晶振工作在谐振频率时的电阻，单位用Ω表示。

• DLD：代表激励功率特性，指在给定的激励功率范围内，测出的电阻或频率的变化值。主要用来衡量贴片晶振材料和制造工艺的稳定性。常用的几个参数指标：DLD2、RLD2、FDLD。

• DLD2：一系列的功率下等效阻抗的值和最小值的差。在给定的激励功率范围内，测出的谐振电阻与最小谐振电阻之间的差值。即:DLD2=MaxR-MinR，单位用Ω表示。一般应小于晶振电阻的三分之一。

• FDLD：一系列的功率下频率的值和最小值的差，即：FDLD=MaxFr-MinFr，单位用PPM表示。晶诺威测试方式：通过激励功率由小及大正向测试，再通过激励功率由大及小反向测试。

• RLD2：一系列的功率下等效阻抗的值，即:RLD2=MaxR，单位用Ω表示。

影响DLD的因素

• 导电胶中存在气泡或杂质，导电性能不良；点胶不均匀或胶水量不足，影响其稳定性和可靠性；导电胶的粘度和点胶参数不合适，导致在振动或冲击下性能不稳定。

• 晶片质量晶振材料的纯度和均匀性会影响其 DLD 特性。高质量的材料能保持较低的 DLD2 和 FDLD 值。

• 晶振制造工艺晶振生产过程中的工艺控制和一致性对 DLD 参数有直接影响。不稳定的制造过程可能导致较大的 DLD2 和 FDLD 值。

附晶诺威科技无源贴片晶振SMD3225 12MHz测试数据如下：