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CMOS晶体振荡器与LVCMOS晶体振荡器的区别

2026年01月01日 09:16:18      来源:深圳市晶诺威科技有限公司 >> 进入该公司展台      阅读量:0

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CMOS晶体振荡器与LVCMOS晶体振荡器的区别

CMOS晶体振荡器 与LVCMOS晶体振荡器的区别解释如下:

首先,晶体振荡器(有源晶振)与晶体谐振器(无源晶振)的区别,除了前者本身带有电压之外,还拥有后者没有的输出信号模式(输出逻辑)。输出逻辑指输出的电路类型,主要有CMOS、LVCMOS、SCL、LV-PECL、LVDS、Clipped Sine Wave(削峰正弦波),其中CMOS和LVCMOS是石英晶体振荡器中较为常见的两种输出。

CMOS具有诸多优于其它类型输出信号的优点,如CMOS晶体振荡器具备低相噪优势,非常适合数字电路设计。

CMOS晶体振荡器与LVCMOS晶体振荡器的区别

LVCMOS中的LV指的是Low Voltage,意思是“低电压”,往往代表着“低功耗”。如果设备对低功耗有要求,晶诺威科技建议选择输入电压为1.8 V、2.5V或2.8V的LVCMOS晶体振荡器,消耗电流见上表。LVCMOS晶体振荡器适合无线和有线基础设施,如低功率医疗成像设备、便携式测试和测量设备,工业测试设备及网络通信设备等。

与LVCMOS晶体振荡器对比,CMOS晶体振荡器可以使用更高电压,因此可以实现直供电源设备对晶振更大功率之设计需求,如输入电压为3V、3.3V或5V的CMOS晶体振荡器。

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