关于晶体振荡器/有源晶振驱动能力的说明

关于晶体振荡器/有源晶振驱动能力的说明如下：

首先，高驱动能力意味着高功耗。不要期望只能额定驱动15pF的晶体振荡器在驱动30pF或50pF时会有好的表现。负载越大，功耗越大，驱动能力越强，比如常用于工控设备的晶体振荡器，若输出负载为30PF，则输入电压一般为5V。

对于需要电池供电的电子设备，一定要考虑功耗，因为这意味着设备对低功耗的提出了要求。额定电压为1.8V的晶体振荡器往往比3.3V或5V的功耗更低。在超过建议的电源电压下工作的振荡器亦会呈现较差的波形和稳定性。

注：电源电压变化及其负载变化会在一定程度上影响到晶体振荡器的频率稳定性。

附：晶体振荡器应用注意事项

在晶体振荡器的应用中，还要考虑的参数是输出类型、相位噪声、抖动等。而对于工控设备，有时还要考虑冲击和振动、以及电磁干扰（EMI）。

• 输出类型Output Wave

晶体振荡器输出类型包括HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和削峰正弦波输出(Clipped Sine Wave )。每种输出类型都有它的独特波形特性和用途。

• 对称性/占空比Symmetry

许多MCU和通信IC往往需要严格的对称性（45%至55%）和快速的上升和下降时间（小于5ns）。

• 相位噪声和抖动SSB phase noise

在频域测量获得的相位噪声是短期稳定度的真实量度，它可测量到中心频率的1Hz之内和通常测量到1MHz。石英晶体振荡器的相位噪声在远离中心频率的频率下有所改善。TCXO和OCXO振荡器以及其它利用基波或谐波方式的晶体振荡器具有相位噪声性能。

抖动与相位噪声相关，但是它在时域下测量。以微微秒表示的抖动可用有效值或峰—峰值测出。许多应用，诸如5G高速通信网络、无线数据传输、ATM和SONET等应用要求晶体振荡器必须满足严格的抖动指标。