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晶片破损及电阻值变异引发晶振停振问题分析

2026年01月07日 08:20:13      来源:深圳市晶诺威科技有限公司 >> 进入该公司展台      阅读量:1

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晶片破损及电阻值变异引发晶振停振问题分析如下:

不良晶振为49S与圆柱体晶振,安装方式为手工焊接。不良品在我司S&A 250B上测试,数据如下:

数据组1

晶片破损及电阻值变异引发晶振停振问题分析

 

数据组2

晶片破损及电阻值变异引发晶振停振问题分析

数据组3

晶片破损及电阻值变异引发晶振停振问题分析

数据组4

晶片破损及电阻值变异引发晶振停振问题分析

排除误判以外,分析如下:

1、针对测试数据组1~3及晶振49S不良品开壳观测,发现晶片出现裂痕,引发电阻异变。关于晶片出现裂痕问题,分析为晶振产品遭受破坏性物理外力冲击造成不良,强烈建议在晶振运转中,包括仓库及产线,严格遵循“跌落勿用”原则。

晶片破损及电阻值变异引发晶振停振问题分析

 

 

2、根据测试数据组4分析,大部分不良圆柱体晶振出现DLD Dead不良,解剖发现晶片已经破损,直接造成停振。建议在晶振手焊过程中,严禁用力拉扯晶振引脚 ,以防破坏基座的玻璃纤维部位,造成内部晶片碰壳受损。

晶片破损及电阻值变异引发晶振停振问题分析

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