无源晶振起振电路设计：关于C0/C1, CL及RR说明如下：

C0/C1对晶体稳定性的影响

晶体（无源晶振）的静态电容C0和动态电容C1大小，与晶片电极面积大小（体积大小）成正比，不同厂家设计C0也有差异。

同一频率C0/C1的不同会影响振荡电路的稳定性：

C0/C1大，频率上升到标称频率前电抗变大，起振快，频率难调整，但不易受外面杂散电容影响，适合高稳需求；

C0/C1小，频率变量大，易受杂散电容影响，频率温度稳定性变差，但易于CL调整频率。

建议：

先求稳后求精准度，要合理控制C0/C1范围。

晶振负载CL对相噪和起振的影响

负载电容CL是电路中跨接晶体两端的总的有效电容，主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。

CL大，远端相噪好；CL过大，难调整到标称频率，还容易导致回路阻抗增大，难起振；CL小，容易调整频率，近端相噪好，易起振。

晶振阻抗RR对振幅和激励功率的影响

同频率晶体的体积越小RR越大，RL晶体加负载电容的谐振阻抗， RL=RR（1+C0/CL）² 。根据其大小，评估振荡电路设计振荡宽限，满足振荡电路的振幅条件和激励功率等级。

P=I²*RL，可根据电流I的大小评估激励功率等级和匹配相应的限流电阻。

I：晶体谐振时流经晶振的电流，与RR成反比

RL：等效电阻

P：实际跨在晶体上的功率。