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晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

2026年01月07日 09:45:22      来源:深圳市晶诺威科技有限公司 >> 进入该公司展台      阅读量:1

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晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

(49SMD晶振4MHz产品图片)

晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据,整理如下:

晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

测试项目:自由跌落

测试设备:跌落台,30mm厚硬木板,250B

测试条件:从75cm高自由跌落至30mm厚硬木板上,跌落3次。

测试数据如下:

晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

 

测试项目:低频振动

测试设备:振动测试台/250B

测试条件:频率10~55Hz,振幅1.5mm,沿X、Y、Z三个互相垂直方向依次振动30分钟。

测试数据如下:

晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

测试项目:回流焊

测试设备:回流焊机,250B

测试条件:回流焊温度260℃±10℃,持续时长>10s,且△FL≤±5ppm,△Rr≤5Ω

测试数据如下:

晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

实验项目:高温测试

测试设备:老化箱,250B

实验条件:温度85℃±2℃,持续时间160h。

测试数据如下:

晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

实验项目:低温测试

测试设备:高低温箱,250B

实验条件:温度-40℃±2℃,持续时间160h,绝缘电阻测量电压100V。

测试数据如下:

晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

实验项目:恒定湿热

实验设备:可编程温湿度测试箱/250B

实验条件:温度60℃±2℃,相对湿度90%~95%,持续时间160h。

测试数据如下:

晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

实验项目:老化

测试设备:老化箱,250B

实验条件:温度85℃±2℃,持续时间720h。1周测量2次,2次测量的间隔不小于48小时,不大于96小时。最初24小时进行第1次测量,测试结束进行最后1次测量。

测试数据如下:

晶诺威科技49SMD封装晶振4MH度测试数据

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