半导体激光器是以半导体材料作为激光工作物质的激光器。它具有超小型、高效率、结构简单、价格便宜，以及可以高速工作等一系列优点。自1962年问世，特别是20世纪80年代以来，发展极为迅速，是目前光通信系统的最重要光源，并且在CD、VCD、DVD播放机、计算机光盘驱动器、激光打印机、全息照相、激光准直、测距及医疗等许多方面都获得了重要应用。
半导体激光器是注入的受激光放大器。虽然它形成激光的必要条件与其他激光器相同，必须满足粒子数反转、谐振等条件，但它的激发机理和前面讨论的几种激光器截然不同。它的电子跃迁发生在半导体材料导带中的电子态和价带中的空穴态之间，而不像原子、分子、离子激光器那样发生在两个确定的能级之间。半导体材料中也有受激吸收、受激辐射和自发辐射过程。在电流或光的激励下，半导体价带中的电子可以获得能量，跃迁到导带上，在价带中形成一个空穴，这相当于受激吸收过程。此外，价带中的空穴也可被从导带跃迁下来的电子复合。