AFM 力刻蚀

自的农业耕作以来，耕作是一项的技术。通过将该工具缩小到几纳米并将其与传统的扫描探针技术相结合，可以促进具有纳米分辨率的纳米光刻。

在更常见的AFM刮擦技术中，在*的加载力下扫描，以去除基材或抗蚀剂。该技术利用与传统工具相同的耕作原理：以明确定义的方式从基材上去除材料，留下具有所用耕作特征形状的深沟槽。

使用纳米划痕进行光刻的优势明显在于对准精度，与电子或离子束结构化技术相比无损的定义过程以及无需其他处理步骤（例如蚀刻衬底）。纳米耕作（nanoscratching）被应用于例如定义超导纳米收缩（约瑟夫森结）[1]，表面量子阱构图[2]。

当AFM在接触模式下运行时，取决于施加的载荷，不仅观察到严重的刮擦，而且观察到从无摩擦滑动到磨损的几种情况。这样，AFM已成功用于表征技术关注的材料上的微磨损过程，如磁头滑块的硅，电子封装的聚合物和液晶显示器等[3]所述。

在NTMDT设备中，两种不同的纳米光刻模式是可能的：矢量和光栅。在矢量光刻的情况下，影响是在单个点或沿确定的线施加的。在光栅光刻的情况下，它是由已经确定的模板制成的。矢量光刻的优点是速度快，而缺点是每个点的力均相等。光栅光刻速度较慢，但可以根据模板更改施加的力。此外，在进行矢量光刻时，有两种方法可以更改施加的力：1.通过在沿Z轴定义的距离上设置扫描仪位移来更改光束弯曲。2.通过设置设定点值来更改梁的弯曲度。进行光栅光刻时，只能使用种方法。

References

1. Appl. Phys. Lett., Vol. 73, 2051 (1998).
2. Appl. Phys. Lett., Vol. 73, 2684 (1998).
3. Chem. Rev. 97, 1163 (1997).