霍尔接近传感器的工作原理

　当一个金属或半导体晶片的一个通用电流被垂直放置在磁场中时，在片的两端会产生电位差，这种现象被称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为： U=K·I·B/d，其中 K 为霍尔系数，I 为薄片中通过的电流，B 为外加磁场(洛伦慈力 Lorrentz)的磁感应强度，d 是薄片的厚度。

　　可以看出，霍尔效应的灵敏度与所施加的磁场的磁感应强度成正比。霍尔接近开关属于有源磁/电变换器，它是在霍尔效应原理的基础上，采用的集成封装和装配的生产工艺，它可以方便地将磁输入信号转换为电信号在实际应用中，而且还具有工业应用的应用简单的操作和可靠性要求。

　　霍尔接近开关的输入端是以磁感应强度B表示，当b值达到一定程度(如B1)，内部开关触发器霍尔接近开关输出电平状态也随之逆转。输出一般采用晶体管输出，和电感式接近开关是相似的：PNP、NPN、常开、常闭、锁型(双极性)、双信号的几种类型的输出。

　　霍尔接近开关是一种磁接近开关，无电冲击，功耗低，使用寿命长，频率响应高，内部使用环氧树脂密封填料的生产结构的集成，使它能可靠地工作在各种恶劣环境中。它可应用于接近开关，压力开关，里程表，它是一种新型的电器配件。图1是它的内部原理和传输特性。霍尔式开关比感应开关响应频率高，它利用磁钢触发，触发与导磁金属电感，霍尔开关感应距离除了外部传感器本身的性能，而且与磁铁的磁场强度