光刻胶是微电子领域微细加工的核心上游材料，电子化学品材料的制高点。当前光刻胶生产制造主要被日本JSR、东京应化、信越化学、日本住友化学、美国陶氏化学和韩国东进等制造商所垄断，尤其在高分辨率的KrF和A....

SiC由于其禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数低等特点，在高频、高功率、耐高温的半导体功率器件和紫外探测器等领域有着广泛的应用前景，特别是在电动汽车、电源、、航天等领....

第三代半导体材料由于禁带宽度大、发光效率高、电子漂移饱和速度高、热导率高、硬度大、介电常数小、化学性质稳定以及抗辐射性能好、耐高温等特点，在高亮度发光二极管、紫外—蓝光激光器和紫外探测器等光电子器件以....

晶圆表面形貌及台阶高度测量方法晶圆在加工过程中的形貌及关键尺寸对器件的性能有着重要的影响，而形貌和关键尺寸测量如表面粗糙度、台阶高度、应力及线宽测量等就成为加工前后的步骤。以下总结了从宏观到微观的不同....

缺陷与污染物：缺陷与污染物伴随着制造过程永远存在，对于产品的稳定性、可靠性与良品率有直接的影响。缺陷与污染物可能是将制造扼杀在摇篮里的首要原因之一，制程增长的能力则依赖于缺陷与污染物问题的解决。因此，....

微/纳米塑料：微塑料的定义为长度小于5mm的塑料碎片。进入环境之前小于5mm的碎片称为初生微塑料，进入环境后发生降解而产生小于5mm的碎片称次生微塑料。目前微塑料已经遍布于每一个角落，甚至在人类身体中....