PT-T1050-CVD型石墨稀、碳纳米管材料CVD设备由管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，温度可以达到1050度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。
管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。
软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。
应用范围：
该设备主要用于石墨稀、納米材料工艺涂层、多晶硅、碳化硅、扩散、氧化、退火等工艺。
参数详情：
| 产品名称 | 石墨稀、碳纳米管材料CVD设备 |
| 产品型号 | PT-T1050-CVD |
| 炉型结构 | 卧式、单管或多管系统自动控制 |
| 适应晶片尺寸 | 50--200mm |
| 取片方式 | 自动悬臂石英推拉舟，配合手动取、放片 |
| 温度 | 1050℃ |
| 极限真空度 | 优于1Pa |
| 温度稳定性 | 400℃~850℃≦+-0.5℃/24h |
| 抽速 | 抽限真空时间15min左右 |
| 供电电源 | 380V 50Hz 三相五线 |
| 选配 | 冷却水：2~4KGF/c㎡,8L/min |
| 更多规格可根据需求定制 | |
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